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發(fā)布時(shí)間：2020-04-27 來(lái)源：元祿光電
隨著對(duì)小型電子產(chǎn)品和微電子元器件需求的日益增長(zhǎng)，紫外激光是加工微電子元器件中被普遍使用的塑料和金屬等材料的理想工具。固態(tài)激光器最新技術(shù)推動(dòng)了新一代結(jié)構(gòu)緊湊、全固態(tài)紫外激光器的發(fā)展，從而使之成為這個(gè)領(lǐng)域中更經(jīng)濟(jì)有效的加工手段。
1.紫外激光的產(chǎn)生
355nm紫外激光由 1064nm Nd∶ YAG激光的三次諧波獲得 ,具體技術(shù)途徑是用二次諧波晶體腔內(nèi)倍頻1064nm基波產(chǎn)生 532nm二次諧波, 基波和諧波再經(jīng)三次諧波晶體腔內(nèi)混頻產(chǎn)生 355nm三次諧波。
1、1簡(jiǎn)單理論
三次諧波的產(chǎn)生分為兩個(gè)部分，在第一個(gè)晶體中，部分 1064nm基波輻射轉(zhuǎn)換為二次諧波(532nm)；接著，在第二個(gè)晶體中，未轉(zhuǎn)換的基波輻射與二次諧波和頻產(chǎn)生三次諧波。在非線性晶體中混頻的方程式為：
此處的 Ej項(xiàng)為以頻率 ωj在 z 方向上傳播的波的綜合電矢，ω3=ω1+ω2，波 j 的電場(chǎng)是 Ejexp(iωjt-ikjz)的實(shí)數(shù)部分，相位失配?k =k3-(k1+k2)正比于相位匹配方向上光路的偏離量?θ，γ1 項(xiàng)為吸收系數(shù)。對(duì)于三倍頻，有 ω2=2ω1，ω3=3ω1，K2≈2K1，K3≈3K1。為了提高倍頻效率及和頻光的功率輸出，我們要盡量滿足位相匹配條件：?k =0。令參量 S 為三倍頻晶體中二次諧波功率與總功率之比：
如果以 ω 和 2ω 輸入的光子匹配為 1:1，則有 Pω+P2ω 及 S=0.67，理論上在小信號(hào)近似情況下，輸入光束都能轉(zhuǎn)換為三次諧波。
1、2實(shí)驗(yàn)裝置
實(shí)驗(yàn)裝置如圖 1 所示。Nd:YVO4 晶體采用 a 軸切割，摻釹濃度為1%，尺寸為3mm×3mm×2mm，一面鍍1064nm/532nm雙波長(zhǎng)高反膜作為輸入鏡，另一面鍍 808nm增透膜。輸出鏡 M 曲率半徑為 100mm，凹面鍍 1064nm/532nm高反膜及 355nm增透膜，平面鍍355nm高透膜。
二倍頻晶體選用 KTP，θ=90°，φ=23.5°，按Ⅱ類臨界相位匹配切割，尺寸為 2mm×2mm×10mm，兩端面鍍 1064nm/532nm 雙色增透膜。三倍頻晶體選用Ⅰ類臨界相位匹配 LBO，θ=42.6°，φ=90°，尺寸為3mm×3mm×12mm，兩端面鍍 1064nm/532nm/355nm 三色增透膜。二倍頻和三倍頻晶體的放置要符合光波的偏振匹配條件， 如圖2所示Nd:YVO4、 KTP和LBO用致冷器溫控。 用coherent公司生產(chǎn)的LabMaster Ultima P540 功率計(jì)，LM-UV2 紫外探測(cè)器測(cè)量紫外激光的功率。
2.紫外激光加工的特點(diǎn)
紫外激光除了具有激光的一般特點(diǎn)之外，還有一些與紫外波長(zhǎng)相應(yīng)的特點(diǎn)，使得紫外激光在很多材料的加工中有重要應(yīng)用。
2、1紫外激光加工的原理
與紅外或可見(jiàn)光通常靠產(chǎn)生集中局部的加熱使物質(zhì)熔化或汽化的方式來(lái)進(jìn)行加工不同，紫外加工從本質(zhì)上說(shuō)不是熱處理。紫外激光的波長(zhǎng)在0.4um以下，而且大多數(shù)材料吸收紫外光比吸收紅外光更容易，高能量的紫外光子直接破壞材料表面分子中原子間的連接鍵，這種“冷”光蝕處理加工出來(lái)的部件具有光滑的邊緣和最低限度的炭化。
圖 3 激光與材料作用的示意圖
2、2紫外激光加工的優(yōu)點(diǎn)：
（1）紫外激光器的波長(zhǎng)較短能加工很小的部件。紫外激光的波長(zhǎng)在0.4um一下，由于會(huì)聚光斑的最小直徑直接正比于光波長(zhǎng)(由于衍射) ，激光的波長(zhǎng)越短，聚焦的能量就越集中，因此，更短波長(zhǎng)意味著更高的空間分辨率。例如，在鉆微通道時(shí)，用CO2激光打出的最小孔極限是75um，而用355nm的紫外固體激光器可以加工成直徑小于25um的通道。
（2）許多材料（如陶瓷、 金屬、 聚合物等）對(duì)紫外波段的吸收比較大，可以加工許多紅外和可見(jiàn)光激光器加工不了的材料。像Cu這種金屬對(duì)紅外波段的光是高反的，用CO2激光切割它，若不進(jìn)行預(yù)處理是無(wú)效的。
（3）紫外光子直接切斷材料分子中原子間的連接鍵。紅外或可見(jiàn)光通常靠產(chǎn)生集中局部的加熱使物質(zhì)熔化或汽化的方式來(lái)進(jìn)行加工，但這種加熱會(huì)導(dǎo)致周圍區(qū)域嚴(yán)重破壞 ,因而限制了邊緣強(qiáng)度和產(chǎn)生小精細(xì)特征的能力。與熱加工相比,紫外激光加工使材料發(fā)生分解而被去除，因而加工處周邊熱損傷和熱影響區(qū)小.
而且紫外激光器尤其是固體紫外激光器的結(jié)構(gòu)越來(lái)越緊湊、 平均功率高、易維護(hù)、 操作簡(jiǎn)便、 成本低、 生產(chǎn)率高。
3、紫外激光用于薄膜劃線
3、1激光系統(tǒng)
實(shí)驗(yàn)中使用兩種不同的激光光源進(jìn)行劃線。第一種光源是355nm波長(zhǎng)的端面泵浦固體激光器，脈沖持續(xù)時(shí)間15ns，第二種是脈寬為8ns 的355nm波長(zhǎng)的端面泵浦固體激光器。兩種光源的典型脈沖能量分布是高斯分布。兩種光源的功率通過(guò)一個(gè)外部衰減器調(diào)節(jié)。為了得到高的加工速度，激光束通過(guò)掃描鏡頭傳輸。
3、2樣品處理
加工了兩種類型的樣品，為了研究燒蝕閾值，在玻璃上沉積了單層膜。在激光劃線研究中，未加工完成的太陽(yáng)能電池用不同步驟在高級(jí)玻璃襯底上進(jìn)行沉積。非晶硅層用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積法在MV系統(tǒng)中完成沉積，沉積薄膜層地厚度為500-600nm。對(duì)于TCO單層刻蝕，使用的是商用Asahi-U和自備的ITO(SnO2:In2O3)和AZO(ZnO:Al)樣品。
3、3測(cè)量和特性描述技術(shù)
刻蝕剖面測(cè)量和形態(tài)特性用共焦激光掃描顯微鏡Leica ICM 1000來(lái)獲得。附加的掃描電子顯微鏡和能量彌散X射線探測(cè)器的剖面分析圖像能夠使我們更好地理解劃線過(guò)程中選擇性刻蝕的形態(tài)特征。
3、4燒蝕閾值計(jì)算
在激光選擇性燒蝕過(guò)程中，確定合適的能量密度值是很重要的，這能在帶來(lái)最小副作用的情況下有效的把材料去除。燒蝕閾值對(duì)于確立可能的參數(shù)窗口是很有幫助的。燒蝕閾值是通過(guò)測(cè)量增長(zhǎng)值燒蝕孔徑的增長(zhǎng)值獲得的。表 1 給出了單脈沖燒蝕的燒蝕能量密度的總結(jié)。
表 1 薄膜材料的燒蝕閾值
3、5激光劃片工藝
實(shí)驗(yàn)是在未拋光的太陽(yáng)能電池上進(jìn)行的，在這里每一個(gè)激光步驟都是用恰當(dāng)?shù)某练e層來(lái)評(píng)估的。對(duì)第一步，在玻璃上沉積一層特殊的透明導(dǎo)電氧化物。在第二步，在第二層的透明導(dǎo)電氧化物層再沉積一層非晶硅。最后，第三步，基底結(jié)構(gòu)上帶有一層ZnO：Al的特殊樣品作為靜合接點(diǎn)。
3、5、1第一步，TCO劃片
在第一步中評(píng)估了三種TCO：Asahi-U, ITO和AZO。表 2 給出了依據(jù)實(shí)現(xiàn)加工的必須的能量密度和脈沖數(shù)。圖 4 給出了與表 2 中激光刻蝕參數(shù)相應(yīng)的劃線的掃描電子顯微鏡圖像。
表 2 依據(jù)能量密度和每個(gè)位置的脈沖數(shù)確定的用于TCO的優(yōu)化激光刻蝕參數(shù)
圖 4 玻璃表面三種不同的透明導(dǎo)電氧化物在ns和ps激光輻射劃線下的SEM圖像和共焦剖面
3、5、2第二步a-Si:H選擇性燒蝕
兩種激光光源在沒(méi)有損壞底層TCO的情況下，完成了對(duì)非晶硅層的完全消融。這個(gè)過(guò)程用能量彌散x射線探測(cè)器進(jìn)行了微量分析。表 3 給出了兩種不同輻射，在兩個(gè)不同速度下獲得最佳結(jié)果激光的參數(shù)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)ps輻射，在低重疊的情況下需要更多的能量，而當(dāng)能量密度與ns脈沖相近時(shí)，則需要更多的脈沖數(shù)。此外，在這種情況下對(duì)刻槽的形態(tài)面貌以及材料去除和底層損壞的評(píng)估是非常重要的。圖 5 給出了ns和ps輻射情況下的最佳劃線。
表 3 依據(jù)能量密度和每個(gè)位置的脈沖數(shù)確定的獲得非晶硅層最佳劃線效果的激光參數(shù)
圖 5 ns和ps輻射下a-Si:H(pin)/Asahi-U/玻璃的激光劃線SEM圖像和EDX剖面
為了使凹槽邊緣的硅沉積物與它的實(shí)際高度相對(duì)應(yīng)，圖 6 給出了最佳劃線的共焦和EDX剖面。圖 7 中的EDX剖面，顯示了在第二步加工中TCO層的損壞。
圖 6 ns和ps輻射下a-Si:H(pin)/Asahi-U/玻璃激光劃線的最佳共焦和EDX剖面
圖 7 闡明ns和ps輻射下a-Si:H(pin)/Asahi-U/玻璃的激光劃線TCO層損壞的EDX剖面和SEM圖像
3、5、3第三步靜合接點(diǎn)的選擇性燒蝕
最后一步，從薄膜邊緣獲得激光整體互聯(lián)是激光劃線使靜合接點(diǎn)的隔離。硅結(jié)構(gòu)上AZO層的完全去除用兩種脈寬實(shí)現(xiàn)了，并且加工參數(shù)由表4 給出。圖 給出了ns和ps輻射的最佳劃線效果。這些圖片說(shuō)明了電池上TCO疊層的選擇性燒蝕成果。
表 4 獲得AZO層最佳劃線效果的激光參數(shù)
圖 ns和ps輻射下激光最佳劃線的EDX剖面，SEM圖像和共焦剖面以及地形圖
太陽(yáng)能電池板激光劃線需要高重復(fù)率和短波長(zhǎng)輸出激光器。經(jīng)激光加工的電極可承受極高的熱循環(huán)而不致?lián)p傷
推薦設(shè)備：導(dǎo)電玻璃激光刻蝕機(jī)
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